Antes de cualquier cosa, no debes confundir su nombre, pues no se refiere a la memoria RAM, esto tiene completa relación con el almacenamiento interno de teléfonos y tablets.

El almacenamiento en los dispositivos es un tema que cada vez mantiene más ocupados a las compañías fabricantes de smartphones, pues, a pesar de presentar modelos cada vez más avanzados las memorias internas de los teléfonos móviles no logran sorprender. Eso podría ser hasta ahora, pues un grupo de científicos estadounidenses ha creado un tipo de memoria que puede alcanzar hasta 1 Terabyte (TB).

Esta memoria lleva por nombre Ram Resistente (RRAM o Resistive random-access memory) fue creada tras 5 años de investigaciones en la Universidad de Rice de Houston, Estados Unidos. Esta memoria interna presenta una súper resistencia, 100 veces mayor a las memorias normales, gracias a su composición de óxido de silicio poroso.

Su fabricación está basada en una tecnología análoga a la de los discos duros sólidos o SSD y no genera un alto costo, tiene el tamaño de una estampilla y podría llegar a ser parte de nuestros dispositivos muy pronto.

James Tour, uno de los autores del estudio publicado en la revista de la American Chemical Society indica que la tecnología descubierta permitirá despreocuparse de errores provocados por baja memoria pues es capaz de guardar 50 veces la densidad de datos que las memorias actuales.

Periodista en Hostname (www.hn.cl)

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